高德扫街榜最初2025年9月上线，依托用户导航、到访、收藏等真实行为数据生成正向榜单。
蔚来现已累计在充换电技术和基础设施领域投入超过200亿元，在全国建成4126座换电站。公司计划到2030年运营1万座换电站，预计届时换电网络年用电量超过100亿度。
日久光电：上半年归母净利润3476.53万元，同比下降23.77%
“自加入《蒙特利尔议定书》以来，中国克服诸多困难挑战，累计淘汰消耗臭氧层物质生产和使用72万吨，占发展中国家淘汰量一半以上。”2026年9月16日，生态环境部召开纪念《〈关于消耗臭氧层物质的蒙特利尔议定书〉基加利修正案》（以下简称《基加利修正案》）通过十周年暨2026年国际保护臭氧层日纪念大会，生态环境部副部长徐必久介绍。
数据显示，今年一季度通用DRAM合约价环比上涨93%至98%，NAND闪存环比上涨55%至60%；二季度DRAM再度环比上涨58%至63%，NAND涨幅扩大至70%至75%，现货市场实际成交涨幅远高于合约报价，DDR5 16GB内存现货年内涨幅突破6倍。
《杭州市金融业发展“十五五”规划（征求意见稿）》公开征求意见。其中提到，推动金融科技产业集聚发展。支持金融机构、大型科技企业等在杭设立金融科技研发中心与创新平台，招引建设证券期货业数字化公共服务平台，推动多方共建各类金融科技联合实验室、孵化器等。争取金融行业人工智能应用试点城市，支持金融机构、金融科技企业开展“人工智能+金融”底层关键技术、前沿技术研发，形成一批领先的知识产权成果。实施“数据要素×”金融行动，依托杭州语料库建设，打造杭州金融行业可信数据空间，实现金融语料数据高质量供给，推动人工智能在金融领域的产业应用。
“着眼于避免主要市场利率较大幅度向下偏离政策利率中枢，9月初以来央行7天期逆回购多为地量操作或操作量为0，旨在引导DR001围绕政策利率平稳运行。9月两个期限品种的买断式逆回购等量续作，也在一定程度上体现了这一调控取向。”王青在采访中表示。
当地时间8月4日， 三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，公布面向AI基础设施的下一代存储技术路线，首次展示zHBM、zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。三星表示，zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短处理器与内存之间的数据传输距离，以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效表现。在NAND领域，三星首次发布V10 BV-NAND架构，通过晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过400层，较上一代V9产品内存密度提升约58%，同时改善读写和输入输出性能。
