当地时间8月4日, 三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会(FMS)上,公布面向AI基础设施的下一代存储技术路线,首次展示zHBM、zNAND-O概念产品,并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。三星表示,zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方,缩短处理器与内存之间的数据传输距离,以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约8倍,同时借助新型晶圆键合技术,实现超过HBM5 10倍的内存密度,并提升能效表现。在NAND领域,三星首次发布V10 BV-NAND架构,通过晶圆键合技术堆叠存储单元,层数超过400层,较上一代V9产品内存密度提升约58%,同时改善读写和输入输出性能。
“我们已经对接了部分企业在本地进行试点,现在已经有一些数字类或资讯类企业带着数据来到韶关。后续,我们将牵头组织相关企业开展供需对接,进一步推动算力需求大的企业,例如视频制作类企业,来到韶关探讨合作。并促成两地算力补贴政策互认,正式启动第一批算力试用。”朱美恩说。
需要注意的是,0申购费并不改变基金产品本身的风险收益特征,但有助于降低申购及相关交易环节的成本,让投资者买得越多、省得越多。
融360数字科技研究院监测显示,2026年7月,发行的大额存单3个月期平均利率为0.977%,6个月期平均利率为1.161%,1年期平均利率为1.357%,2年期平均利率为1.371%,3年期平均利率为1.716%,5年期平均利率为1.620%。
业内人士表示,五年期大额存单的重新发行并非银行主动提高长期存款利率,而更像是在当前负债压力下进行的阶段性调整。
她表示,要实现债市波动的实质性下降与利率的趋势性回落,至少需要三大条件的配合:通胀持续下行、财政赤字出现可信的收缩路径、主要央行提供相对稳定的政策框架。在这些条件形成以前,全球债市的短暂缓和与突然抛售很可能反复交替出现。
深华发A:上半年归母净利润840.6万元,同比下降41.38%
面对如此庞大的投资需求,多元化的资金筹措机制至关重要。